时间：2025/4/28 17:49:47
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NRVTS5100ETFSTAG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的增强型场效应晶体管 (eGaN FET)，由 Navitas Semiconductor 公司设计制造。这款芯片采用了先进的 GaN 功率技术，旨在提供更高的效率、更快的开关速度和更小的尺寸，适用于高频电源转换应用。
该器件具有垂直结构和低寄生电感的特点，使其在硬开关和软开关应用中表现出色，同时能够显著降低功率损耗并提高系统性能。
型号：NRVTS5100ETFSTAG
类型：增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET)
导通电阻 (Rds(on))：7.5 mΩ (典型值，25°C)
击穿电压 (BVDSS)：600 V
栅极阈值电压 (Vgs(th))：1.8 V 至 3.6 V
连续漏极电流 (Id)：54 A (典型值)
封装形式：TOLL (TO-247-3L)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
输入电容 (Ciss)：1290 pF (典型值)
输出电容 (Coss)：27 pF (典型值)
反向传输电容 (Crss)：11 pF (典型值)
开关频率能力：超过 2 MHz
NRVTS5100ETFSTAG 的主要特点是其卓越的性能和高效率，以下是具体特性：
1. 高击穿电压：高达 600V 的耐压能力，确保在高压环境下的可靠运行。
2. 极低导通电阻：仅 7.5mΩ 的 Rds(on)，大幅降低导通损耗。
3. 快速开关速度：由于较低的寄生电容，支持 MHz 级别的开关频率。
4. 小尺寸封装：TOLL 封装不仅散热性能优异，还减少了 PCB 占用空间。
5. 高温适应性：能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作。
6. 超低 Qg 和 Eoss：减少开关损耗，进一步提升整体效率。
7. 内置保护功能：具备过流保护和静电放电 (ESD) 防护特性。
NRVTS5100ETFSTAG 广泛应用于对效率和小型化要求较高的场景，包括但不限于以下领域：
1. 电源适配器和充电器：用于快充解决方案，支持 USB-PD 标准。
2. 开关电源 (SMPS)：例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
3. 无线充电设备：为更高效率的无线能量传输提供支持。
4. 电机驱动：用于高效逆变器和驱动电路。
5. 工业电源：如服务器电源、通信电源和太阳能微逆变器。
6. 汽车电子：车载充电器和 DC-DC 转换器中的关键元件。
NV6115, NRV06GNTKGA
