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IXTX3N250L 发布时间 时间:2025/8/6 0:03:23 查看 阅读:34

IXTX3N250L 是一款由 Littelfuse(原 IXYS Corporation)制造的高电压、高电流 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高功率开关应用设计,适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及电源管理系统等领域。IXTX3N250L 采用 TO-264 封装,具备优异的热性能和高可靠性,能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):250V
  连续漏极电流(Id):100A(Tc=25°C)
  功耗(Ptot):400W
  导通电阻(Rds(on)):典型值为3.2mΩ(在Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):约180nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IXTX3N250L 具备出色的导通性能和开关速度,适用于高频率开关应用。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的平面技术制造,具有高耐用性和良好的热稳定性。
  此外,IXTX3N250L 提供高雪崩能量耐受能力,能够在极端工作条件下保持稳定,避免因瞬态电压过高而损坏。TO-264 封装形式具有良好的散热性能,适合高功率密度设计。
  该MOSFET还具备快速恢复体二极管,适用于需要快速反向恢复的应用场景,如DC-DC转换器和电机驱动器。其栅极驱动要求较低,兼容常见的MOSFET驱动器,简化了驱动电路设计。

应用

IXTX3N250L 主要用于高功率开关电路,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电动工具、工业电机控制和电源管理系统。其高电压和大电流能力也使其适用于新能源汽车、光伏逆变器和储能系统等应用领域。
  此外,该器件也可用于高功率LED照明驱动、电焊机、变频器等高可靠性要求的应用场景。由于其具备良好的热管理和高耐压能力,IXTX3N250L 也广泛应用于高温环境下的电力电子设备中。

替代型号

IXFN110N250P, IXFN100N250A, IXFX100N250P

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IXTX3N250L参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格30 : ¥538.57933管件
  • 系列Linear
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)2500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)230 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5400 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)417W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PLUS247?-3
  • 封装/外壳TO-247-3 变式