时间：2025/12/24 16:56:12
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IXTH5N100A是一款由Littelfuse（原IXYS Corporation）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率应用。该器件设计用于需要高效、快速开关性能的电力电子系统，如电源转换器、电机驱动、逆变器以及工业控制设备。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：1000V
漏极电流（ID）：5A
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V~4.0V
导通电阻（RDS(on)）：2.0Ω（最大）
功率耗散（PD）：75W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装类型：TO-247
IXTH5N100A具有高耐压能力，漏源电压可达1000V，适合高压电源应用。该器件的导通电阻较低，最大为2.0Ω，在高电流负载下能够保持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够适应高频操作，减少开关损耗，适用于DC-DC转换器、AC-DC整流器及高频逆变器等场景。
其栅极阈值电压范围为2.1V至4.0V，能够在标准逻辑电平下可靠工作，简化了驱动电路设计。IXTH5N100A还具有良好的热稳定性和过载能力，适合在严苛环境下使用。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，有助于提升整体系统的可靠性和寿命。
IXTH5N100A广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源、工业自动化控制系统以及电动汽车充电设备等。由于其高耐压、低导通电阻和快速开关性能，该MOSFET特别适用于需要高效能和稳定性的高压功率转换系统。
IXTP5N100A, IXTH5N100AS, STW15NM100ND, FQA5N100TM
