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ACT-S128K32N-017P7Q 发布时间 时间:2025/4/29 14:05:33 查看 阅读:4

ACT-S128K32N-017P7Q 是一款由 Adesto Technologies 提供的非易失性存储器芯片,基于 CBRAM(导电桥接随机存取存储器)技术。该芯片具有低功耗、快速写入和高耐用性的特点,适用于物联网设备、消费类电子以及工业应用等领域。CBRAM 技术使得这款存储器在性能上优于传统的 EEPROM 和闪存产品。

参数

容量:128K x 32位< br >工作电压:1.7V 至 3.6V< br >接口类型:SPI< br >数据保留时间:超过10年< br >工作温度范围:-40°C 至 +85°C< br >封装形式:WLCSP (晶圆级芯片尺寸封装)< br >擦写周期:高达100万次

特性

ACT-S128K32N-017P7Q 的主要特点是其采用了先进的 CBRAM 技术,这种技术通过改变导电材料的结构来存储数据,相较于传统技术,它能够实现更低的能耗和更快的写入速度。
  此外,该芯片支持标准 SPI 接口,便于与微控制器和其他系统组件集成。它的小型 WLCSP 封装非常适合空间受限的应用场景,并且其宽泛的工作电压范围提供了更大的设计灵活性。
  由于具备高耐久性和长数据保留时间,这款芯片非常适合需要频繁数据更新或长期存储的场合。

应用

ACT-S128K32N-017P7Q 广泛应用于对存储器性能要求较高的领域。典型应用场景包括:
  1. 物联网设备中的配置和校准数据存储。
  2. 智能仪表的数据记录功能。
  3. 工业自动化系统中的实时数据保存。
  4. 可穿戴设备的用户偏好设置存储。
  5. 医疗设备中的关键参数备份。
  这些应用都依赖于该芯片的低功耗特性和高可靠性,从而延长电池寿命并减少维护需求。

替代型号

AT25DF641B-GMOHI, MX25L6406E-TI-GE, SST25VF016B-40-4CIX

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