时间：2025/4/30 18:05:11
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K9WAG08U1B-PCB0 是一款由三星（Samsung）生产的NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术。该芯片主要应用于需要大容量存储的场景，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式设备、消费类电子产品等。其设计注重高性能和高可靠性，能够满足现代电子设备对快速数据访问和大容量存储的需求。
该型号的NAND闪存提供较高的数据吞吐量，支持多种接口协议，并且具备低功耗特性，适合对能耗敏感的应用环境。
存储容量：8GB
存储类型：MLC NAND Flash
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc：1.8V ± 0.1V
工作温度：0°C 至 +70°C（商用级）
封装形式：TSOP
页面大小：8KB
区块大小：512KB
数据保留时间：10年
擦写周期：3000次
K9WAG08U1B-PCB0 具备以下特点：
1. 高性能：采用Toggle Mode 2.0接口，支持高达400MT/s的数据传输速率，可显著提升数据读写速度。
2. 大容量：单颗芯片即可提供8GB的存储空间，适用于需要较大存储空间的应用场景。
3. 可靠性：基于三星成熟的MLC技术，具备较长的数据保留时间和较高的擦写耐久性。
4. 节能环保：工作电压为1.8V，相比传统3.3V器件更加节能，有助于降低整体系统功耗。
5. 小型化设计：采用TSOP封装形式，具有较小的体积和较轻的重量，适合紧凑型设计。
这款NAND闪存芯片广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为主存储介质，用于提高SSD的容量和性能。
2. 嵌入式系统：如工业控制设备、医疗设备、网络通信设备等，提供可靠的大容量存储。
3. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、数码相机等，满足多媒体文件的存储需求。
4. 物联网（IoT）设备：在需要本地数据存储的智能设备中使用，例如智能家居控制器和可穿戴设备。
K9WBG08U1M-PCK0, K9WCG08U1A-PCC0
