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K4T51163QG-HCF7 发布时间 时间:2025/5/8 18:51:09 查看 阅读:4

K4T51163QG-HCF7 是一款由三星(Samsung)生产的 DDR4 内存颗粒。该芯片主要用于计算机、服务器和嵌入式系统的内存模块制造,提供高速数据传输能力和低功耗特性。DDR4 技术相较于前代 DDR3,在性能和效率上有了显著提升,广泛应用于需要高带宽和大容量存储的场景。

参数

类型:DRAM
  标准:DDR4
  容量:8Gb (1Gb x 8)
  电压:1.2V
  速度:3200Mbps
  封装:BGA
  引脚数:78-ball
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  数据宽度:x8

特性

K4T51163QG-HCF7 属于高性能 DDR4 DRAM 芯片,具有以下特点:
  1. 支持高达 3200 Mbps 的数据传输速率,能够满足现代计算设备对高带宽的需求。
  2. 使用 1.2V 的低工作电压,相比前代产品更加节能。
  3. 采用 BGA 封装形式,提供紧凑的物理设计和良好的电气性能。
  4. 支持 ECC(错误检查与纠正)功能,适合对数据完整性要求较高的应用环境。
  5. 具备 On-die ECC 功能,进一步增强数据可靠性。
  6. 工作温度范围广,适用于各种工业和消费级场景。
  7. 符合 JEDEC DDR4 标准,确保兼容性和稳定性。

应用

K4T51163QG-HCF7 主要用于以下领域:
  1. 台式机和笔记本电脑的内存条制造。
  2. 服务器和工作站的大容量内存模块。
  3. 工业控制设备中的嵌入式系统。
  4. 网络通信设备,如路由器和交换机。
  5. 游戏主机和其他高性能计算平台。
  6. 医疗设备和航空航天领域的关键任务系统。
  由于其高性能和可靠性,这款芯片在需要快速数据处理和稳定运行的场景中表现优异。

替代型号

K4T51163QH-HCF7
  K4T51163QF-HCF7
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