时间：2025/8/5 15:51:06
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IXTA1N100TRL是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种高功率和高电压的应用场景。该器件采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和耐用性，适合在高电压开关、电源转换器和电机控制等应用中使用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：1000V
连续漏极电流(Id)：1.2A @ 25°C
导通电阻(Rds(on))：2.5Ω @ Vgs = 10V
栅极电荷(Qg)：37nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散(Pd)：40W
IXTA1N100TRL具备较高的击穿电压能力，使其适用于高电压操作环境。该器件的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下运行。其TO-220封装提供了良好的散热性能，并增强了设备的可靠性。
该器件的栅极驱动要求较低，使其能够与常见的驱动电路兼容。此外，IXTA1N100TRL具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而提高整体系统性能。这种MOSFET还具备较高的短路耐受能力，有助于防止因意外短路而引起的设备损坏。
该器件的封装设计便于安装和散热管理，适用于多种工业和消费类应用。其稳定性和可靠性使其成为高要求应用中的首选组件。
IXTA1N100TRL广泛应用于各种高电压和高功率场景，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS系统、电机控制、照明镇流器和逆变器。此外，该器件也适用于工业自动化设备、电力电子系统和消费类电子产品中的电源管理模块。
IXTA1N100TRL的替代型号包括IXTA1N100T、IXTP1N100A和IXTA1N100P。
