类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：60V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单

TSP058SA 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体能效。此外，该器件的最大漏极电流为 8A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率需求的电路设计。TSP058SA 的最大漏极-源极电压为 60V，具备较高的电压承受能力，确保在高电压环境下仍能稳定运行。
　　该 MOSFET 支持 ±20V 的最大栅极-源极电压，使其能够与多种驱动电路兼容，包括微控制器和专用驱动 IC。同时，TSP058SA 的 TO-220 封装形式具有良好的散热性能，有助于在高功率操作下保持较低的结温，提高器件的可靠性和寿命。其最大功率耗散为 30W，进一步支持在高功率密度设计中的应用。
　　在温度适应性方面，TSP058SA 可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，适用于工业级和汽车级应用场景。这种宽温度范围特性使其能够在极端环境条件下保持稳定性能。

TSP058SA 主要应用于各种功率电子设备，包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路和电池管理系统等。在电源管理领域，该器件可用于高效开关稳压器的设计，实现高效率的电压转换。在电机控制应用中，TSP058SA 可作为功率开关，控制电机的启停和调速。此外，它还可用于电池充放电管理电路，确保电池的安全高效运行。
　　在工业自动化和汽车电子系统中，TSP058SA 常被用于驱动继电器、电磁阀和其他高功率负载。由于其具备较高的电压和电流承受能力，TSP058SA 也适用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等新能源领域的应用。此外，该 MOSFET 还可用于音频放大器和开关电源等消费电子产品中，提供可靠的功率控制功能。

TPC8103,TSP060NA,IRFZ44N