RF7252TR7N 时间：2025/8/15 12:13:29 阅读：45

RF7252TR7N是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo公司的一部分）制造的射频功率放大器（PA）芯片，专为高性能无线通信系统设计。该芯片广泛应用于Wi-Fi 6、无线基础设施、工业和物联网（IoT）设备等领域。RF7252TR7N采用先进的GaAs HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）技术制造，具有高线性度、高增益和高效率的特性，适用于多频段和多标准无线系统。

参数

工作频率：2.4 GHz - 2.5 GHz
　　增益：约30 dB
　　输出功率（Pout）：典型值27 dBm
　　工作电压：3.3 V
　　电流消耗：典型值200 mA
　　封装类型：20引脚QFN
　　线性度：EVM（误差矢量幅度）< 2.5%
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

RF7252TR7N的主要特性包括其高线性度和效率，使其在多载波和OFDM调制系统中表现优异。该器件采用先进的GaAs HBT工艺，提供了良好的热稳定性和可靠性。此外，RF7252TR7N内置输入和输出匹配网络，减少了外部元件数量，简化了电路设计。芯片还具备过热保护功能，确保在高功率工作条件下长期稳定运行。
　　该功率放大器具有良好的输入/输出驻波比（VSWR）性能，确保信号传输的稳定性。在低功耗设计方面，RF7252TR7N的电流消耗较低，适合对功耗敏感的应用场景。此外，其高集成度设计使得在紧凑型无线设备中的部署更加方便。

应用

RF7252TR7N主要用于2.4 GHz频段的无线通信系统，包括Wi-Fi 6接入点、无线路由器、工业通信设备和物联网终端设备。由于其高线性度和低失真特性，它也非常适合用于支持802.11ax标准的高性能Wi-Fi设备。此外，该芯片可应用于蓝牙和Zigbee通信模块，以及用于智能家居和自动化系统的无线传输模块。在工业和商业领域，RF7252TR7N可用于远程通信、无线传感器网络和无线视频传输系统等应用场景。