时间：2025/11/12 19:05:04
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K5W1G12ACB-DL75是一款由三星（Samsung）生产的基于NAND闪存技术的嵌入式存储芯片。该器件属于三星K5系列，采用高密度、低功耗的工艺设计，广泛应用于移动设备、物联网终端、便携式消费电子产品以及需要高可靠性数据存储的嵌入式系统中。这款芯片具有1Gb（128MB）的存储容量，采用串行外设接口（SPI）或多I/O SPI协议进行通信，具备较高的读写速度和良好的耐久性，适用于对空间和功耗敏感的应用场景。K5W1G12ACB-DL75通过标准JEDEC封装规范设计，兼容主流嵌入式处理器平台，并支持工业级温度范围运行，确保在恶劣环境下的稳定工作。此外，该芯片内置错误校正码（ECC）、坏块管理及磨损均衡算法，有效延长使用寿命并提升数据完整性。其小尺寸封装也便于在紧凑型PCB布局中使用，是替代传统并行NOR Flash或小容量eMMC模块的理想选择之一。
型号：K5W1G12ACB-DL75
制造商：Samsung
存储类型：NAND Flash
存储容量：1Gb (128MB)
接口类型：Serial Peripheral Interface (SPI), Quad I/O 支持
工作电压：2.3V ~ 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：WSON8 (8-pin Wafer-Level Small Outline Package)
时钟频率：最高支持104MHz
编程/擦除耐久性：100,000 次编程/擦除周期
数据保持时间：10 年（在额定条件下）
写保护功能：软件及硬件写保护支持
自动休眠模式：支持低功耗待机
可靠性机制：内置ECC、坏块管理、磨损均衡
K5W1G12ACB-DL75采用先进的电荷捕获型NAND（Charge Trap NAND, CTN）技术，相较于传统浮栅结构，具备更低的功耗、更高的编程效率和更优的可靠性表现。该芯片通过优化内部存储阵列架构，实现了高效的页编程与块擦除操作，典型编程时间为0.5ms每页，块擦除时间约为2ms，读取延迟极低，适合实时性要求较高的应用场景。
该器件支持标准SPI指令集以及快速读取模式（Fast Read），可配置为单线、双线或四线传输模式，最大数据吞吐率达416Mbps（在四I/O模式下），显著提升了系统整体性能。同时，芯片集成连续读取模式与地址重映射功能，简化了主控MCU的访问逻辑。
K5W1G12ACB-DL75具备强大的抗干扰能力，在电源波动和电磁噪声环境下仍能稳定运行。其内置上电复位电路（POR）和电压监控单元，防止因供电不稳定导致的数据损坏。此外，支持软件写保护和状态寄存器锁定机制，防止误操作造成关键固件被覆盖。
为了适应多样化的系统需求，该芯片提供灵活的扇区擦除选项，包括4KB扇区、32KB块和64KB大块擦除，满足不同粒度的数据更新需求。同时支持逐页编程，最小写入单位为一页（通常256字节+8字节备用区）。
在制造工艺方面，K5W1G12ACB-DL75基于三星成熟的58nm制程技术生产，良品率高且批次一致性好，适合大规模量产应用。其WSON8封装无铅环保，符合RoHS和REACH法规要求，适用于出口型电子产品设计。
该芯片广泛用于智能手机的辅助存储、Wi-Fi模组固件存储、蓝牙耳机OTA升级程序存放、智能电表数据记录、车载T-Box通信模块、工业HMI界面资源存储、POS机引导程序区、医疗设备配置参数保存等场景。由于其高集成度和稳定性，特别适合需要长期运行且无法频繁维护的远程终端设备。此外，也可作为MCU外部代码存储器替代片内Flash不足的问题，常用于基于ARM Cortex-M系列或其他实时控制器的嵌入式系统中。
K5W1G12ACM-DL75
MT25QL128ABA1EW7
IS25LP128A-JBLE
