时间：2025/6/14 19:35:37
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TUMH1N是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该元器件通常用于需要高电压处理能力的场景，例如开关电源、电机驱动和逆变器等应用。其设计特点是能够承受较高的漏源电压，同时保持较低的导通电阻，以提高效率并减少功率损耗。
TUMH1N采用了先进的制造工艺，确保在高频率开关条件下仍能维持稳定的性能。此外，该芯片具有快速开关速度和良好的热稳定性，非常适合对可靠性要求较高的工业级或汽车级应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：650V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：1.4A
导通电阻Rds(on)：3.6Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：27W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力：TUMH1N的最大漏源电压高达650V，适用于高压环境下的开关操作。
2. 低导通电阻：在栅源电压为10V时，导通电阻仅为3.6Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：由于优化了内部结构，TUMH1N能够在高频条件下提供高效的开关表现。
4. 宽温工作范围：支持从-55°C到+150°C的工作温度范围，适合恶劣环境下的使用。
5. 热稳定性好：即使在长时间高负载运行中，也能保持稳定的性能。
6. 封装可靠：采用TO-220封装，具备良好的散热特性和机械强度。
1. 开关电源：包括AC-DC转换器和DC-DC变换器中的开关元件。
2. 电机驱动：用于控制小型直流电机或步进电机的启停及速度调节。
3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变电路中作为关键功率器件。
4. 电子负载：用于模拟实际负载条件下的测试设备。
5. 过流保护：用作过流保护开关，防止电路过载损坏。
6. 汽车电子：如电动车窗、雨刷系统以及LED照明驱动等应用领域。
TUMH1N065,
FDB8111,
IRF540
