QST5TR 时间：2025/12/25 10:46:22 阅读：9

QST5TR是一种由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等高效率功率转换场景。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似变体），具有低导通电阻和快速开关特性，适合在空间受限且对热性能有要求的设计中使用。QST5TR的命名遵循ROHM的标准编码规则，其中后缀“TR”表示产品以卷带包装形式供应，适用于自动化贴片生产线。
　　作为一款现代功率MOSFET，QST5TR在设计上优化了栅极电荷与导通损耗之间的平衡，使其能够在高频工作条件下保持较高的能效。其硅基工艺确保了良好的可靠性和长期稳定性，同时具备一定的抗雪崩能力和过温耐受性。由于采用了先进的封装技术，该器件能够有效散热，提升整体系统可靠性。此外，QST5TR符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于消费电子、工业控制和便携式设备等多种应用领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　连续漏极电流（Id）：4.4 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：17.6 A
　　导通电阻（Rds(on)）：28 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：35 mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：510 pF @ Vds=10V
　　反向恢复时间（trr）：16 ns
　　最大功耗（Pd）：1 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

QST5TR具备优异的电气特性和热稳定性，是现代低电压功率开关应用的理想选择。其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为28mΩ，在Vgs=4.5V时也仅35mΩ，这意味着在导通状态下功耗极低，有助于提高系统的整体效率并减少发热。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长续航时间并降低对散热结构的需求。该器件的低Rds(on)还意味着在大电流负载下仍能保持较小的压降，从而提升输出精度和动态响应能力。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。QST5TR的输入电容（Ciss）为510pF，相对较低，配合较小的栅极电荷（Qg），使得驱动电路所需的能量更少，尤其适合高频PWM控制应用。这不仅提高了开关频率上限，还有助于减小外围滤波元件的尺寸，实现更高功率密度的设计。此外，较短的反向恢复时间（trr=16ns）降低了体二极管在关断过程中的反向恢复损耗，进一步提升了能效，尤其是在同步整流拓扑中表现突出。
　　从可靠性角度看，QST5TR的工作结温范围可达-55°C至+150°C，表明其可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。其栅极阈值电压范围为1.0V~2.5V，支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器GPIO引脚或低压驱动器控制，简化了驱动电路设计。同时，该器件具备良好的抗静电放电（ESD）能力和一定的雪崩能量承受能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。综合来看，QST5TR在性能、尺寸与可靠性之间取得了良好平衡，是一款适用于多种现代电子系统的高性能N沟道MOSFET。

应用

QST5TR常用于需要高效、小型化功率开关的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源开关与负载切换，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理电路；在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关或同步整流管，以提高转换效率；在LED驱动电路中用于恒流调节与调光控制；在电机驱动模块中作为H桥的一部分，实现对微型直流电机或步进电机的方向与速度控制。
　　此外，该器件也广泛应用于各类开关模式电源（SMPS）设计中，特别是在低输出电压、中等电流的适配器和电源模块中表现出色。由于其支持逻辑电平驱动，因此非常适合与微控制器、DSP或专用电源管理IC配合使用，构成智能电源管理系统。在工业自动化设备中，QST5TR可用于传感器供电控制、继电器驱动缓冲级以及信号路径切换等场景。其SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时也利于自动化生产装配，适用于大规模量产的产品设计。无论是消费类还是工业类电子产品，只要涉及低压大电流开关控制，QST5TR都是一个可靠且高效的解决方案。