类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：80 A
　　导通电阻 RDS(on)：13 mΩ（典型值）
　　最大功耗（PD）：250 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

SSE113N15SV-C 具备多项优异的电气和热性能特性，适用于高功率和高效率的应用场景。首先，其导通电阻 RDS(on) 典型值仅为 13 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。在高电流应用中，该 MOSFET 可以承受高达 80 A 的连续漏极电流，确保在大负载条件下依然保持稳定工作。
　　其次，该器件的漏源电压额定值为 150 V，栅源电压额定值为 ±20 V，具备较强的电压耐受能力，适合多种高压功率转换电路。TO-263（D2PAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性和装配效率。
　　此外，SSE113N15SV-C 在高温环境下仍能稳定工作，其工作温度范围可达 -55°C 至 +175°C，适用于严苛的工业和汽车电子应用。器件内部采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了载流子分布，降低了开关损耗，提高了响应速度和动态性能。
　　综合来看，SSE113N15SV-C 是一款高性能的功率 MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电子系统设计。

SSE113N15SV-C 主要应用于需要高效率和高功率处理能力的电子设备中。常见的使用场景包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、电源管理模块以及各种工业和汽车电子控制系统。由于其高电流能力和低导通电阻，它在高功率电源转换器中特别受欢迎，能够有效降低能量损耗并提高整体系统效率。
　　此外，该 MOSFET 也广泛用于服务器电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动汽车的电力电子系统中。在这些应用中，SSE113N15SV-C 的高耐压能力和出色的热管理特性确保了设备在高负载和高环境温度下的稳定运行。其表面贴装封装形式也使得它易于集成到现代高密度 PCB 设计中，满足小型化和轻量化的设计需求。

IXFN80N150P3, FDPF80N150, SCT3080KR, SSE113N15SV