型号：K4B4G16460-BCKO
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　组织结构：4Gbit (4096 Mbit)
　　数据位宽：16位
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-pin
　　工作电压：1.5V（标准），1.35V（低电压版LV可能另有型号）
　　工作温度范围：0°C 至 +85°C
　　最大时钟频率：800MHz（对应1600Mbps数据速率）
　　速度等级：PC3-12800 或 DDR3-1600
　　刷新周期：64ms / 8192行
　　突发长度：支持BL=8
　　CAS等待时间（CL）：典型值为11 cycles
　　存储架构：4 x 1Gbit bank结构
　　每bank行数：16,384
　　每行列数：1,024
　　访问粒度：64ms刷新间隔下自动/自刷新模式
　　封装尺寸：约9mm x 13mm（具体依FBGA规格）

K4B4G16460-BCKO 具备多项先进的技术特性，使其在同类DDR3内存芯片中表现出色。首先，它采用了双倍数据率（DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输，从而实现了高达1600 Mbps的数据传输速率（即DDR3-1600），显著提升了系统的整体带宽表现。这一特性特别适用于需要高速数据交换的应用场景，如高清视频处理、大型数据库操作和多任务并行计算等。
　　其次，该芯片内部集成了四个独立的存储Bank组，每个Bank可独立进行读写操作，支持交叉访问机制，有效提高了内存控制器的调度效率，减少了访问延迟。这种多Bank架构不仅增强了并发处理能力，还降低了连续访问同一Bank时的冲突概率，提升了整体响应速度。
　　再者，K4B4G16460-BCKO 支持多种电源管理模式，包括自动刷新（Auto-refresh）、自刷新（Self-refresh）和部分阵列自刷新（Partial Array Self-refresh, PASR）等功能。这些功能可以根据系统负载动态调整功耗状态，在保证性能的同时大幅降低待机或轻载情况下的能耗，延长移动设备的电池续航时间。
　　此外，该芯片具备出色的信号完整性和抗干扰能力，采用差分时钟输入（CK_t/CK_c）和数据选通信号（DQS_t/DQS_c）来确保高速传输下的同步精度。同时支持写入均衡（ODT on die termination）功能，可在不同负载条件下优化信号反射，提升信号质量。
　　最后，K4B4G16460-BCKO 遵循JEDEC标准规范，兼容主流内存控制器，并支持ECC（错误校验与纠正）功能（需系统支持），可在关键应用中提高数据完整性与系统可靠性。其FBGA封装形式具有良好的热传导性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局，广泛用于工业控制、网络通信和消费类电子产品中。

K4B4G16460-BCKO 主要应用于需要高性能、高稳定性的内存支持的各种电子系统中。在个人计算机和笔记本电脑领域，该芯片常被用作内存条的核心组件，特别是在DDR3时代广泛部署于台式机和移动平台中，支持操作系统流畅运行及多任务处理需求。由于其1600Mbps的高数据速率和较低的访问延迟，能够有效提升整机响应速度和应用程序执行效率。
　　在服务器和工作站环境中，K4B4G16460-BCKO 可作为主内存单元的一部分，配合ECC功能实现数据完整性保护，适用于金融交易系统、云计算节点和数据库服务器等对可靠性要求极高的场合。其多Bank架构和高带宽特性有助于应对大量并发请求和大数据量吞吐场景。
　　此外，该芯片也常见于嵌入式系统和工业自动化设备中，例如高端路由器、交换机、数字监控录像机（DVR/NVR）、医疗成像设备和智能交通控制系统。在这些应用中，稳定的内存性能对于实时数据采集、图像渲染和协议处理至关重要。
　　消费类电子产品如智能电视、游戏主机和多媒体播放器同样受益于该芯片的高性能表现，尤其是在高清视频解码、图形渲染和用户界面交互方面提供了强有力的支撑。凭借其成熟的工艺和长期供货保障，K4B4G16460-BCKO 成为许多OEM厂商在中高端产品设计中的首选内存方案之一。

K4B4G1646F-BCKO
　　MT41K512M16HA-125:A
　　EM64B4HMDB-15H
　　NT5CC512M16BP-DI