MB87J8810 时间：2025/9/22 14:39:00 阅读：11

MB87J8810是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的1.8V低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为8Mbit，组织方式为512K x 16位。该器件专为高性能、低电压和低功耗应用设计，适用于需要高速数据存取且对功耗敏感的便携式电子设备。MB87J8810采用先进的CMOS工艺制造，确保了高可靠性和稳定性，同时具备出色的抗干扰能力和数据保持能力。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、嵌入式系统以及网络基础设施等领域。
　　该SRAM支持标准的异步访问接口，具有快速的读写响应时间，典型访问时间可低至55纳秒，满足高速处理需求。其工作电压范围为1.7V至1.9V，适合现代低电压系统架构，有助于降低整体系统功耗。此外，MB87J8810具备自动低功耗模式（如待机模式），在未进行读写操作时自动进入低功耗状态，进一步优化能效表现。

参数

制造商：Fujitsu
　　系列：MB87J8810
　　产品类型：SRAM
　　存储容量：8 Mbit
　　组织结构：512K x 16
　　供电电压：1.7V ~ 1.9V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP-48, FBGA-63
　　最大访问时间：55 ns
　　输入/输出电平：LVTTL / CMOS 兼容
　　封装尺寸：根据具体封装型号而定
　　引脚数量：48 或 63 引脚（依封装而定）
　　数据保持电压：通常低于1.5V
　　待机电流：典型值为数微安（μA）级别
　　工作电流：依据频率与操作模式变化，典型值在mA级

特性

MB87J8810的核心特性之一是其低电压运行能力，工作电压仅为1.8V（1.7V~1.9V），使其能够无缝集成到现代低功耗系统中，尤其是电池供电或对能效要求严格的设备。这种低电压设计不仅降低了动态功耗，还减少了系统热损耗，提升了整体可靠性。该芯片采用先进的CMOS制造工艺，在保证高速性能的同时有效抑制漏电流，从而实现优异的静态和动态功耗平衡。
　　该器件提供高达55ns的快速访问时间，支持高速异步读写操作，适用于需要频繁访问内存的应用场景，如缓冲区管理、实时数据处理和图像缓存等。其512K x 16位的组织结构提供了灵活的数据宽度配置，兼容16位处理器和控制器接口，简化系统设计并提高数据吞吐效率。
　　MB87J8810具备多种省电模式，包括自动进入待机模式的能力。当片选信号（CE）无效时，器件自动切换至低功耗状态，显著减少空闲期间的能耗。这一特性对于移动设备和远程监控系统尤为重要，有助于延长电池寿命。此外，该芯片支持数据保持模式，即使在低于正常工作电压下也能维持存储内容，增强了系统的断电保护能力。
　　在可靠性方面，MB87J8810经过严格的质量测试，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行，适用于恶劣工业环境。其抗静电能力（ESD）和噪声抑制性能也达到行业标准，确保在复杂电磁环境中仍能可靠工作。封装形式包括TSOP-48和FBGA-63，适应不同的PCB布局和空间限制，便于在紧凑型设备中部署。

应用

MB87J8810广泛应用于各类对速度和功耗有双重需求的电子系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站中的数据缓冲和临时存储，利用其高速访问特性提升数据包处理效率。在工业自动化控制系统中，作为PLC或HMI设备的辅助存储器，用于暂存运行参数、状态信息和用户界面数据。
　　在便携式医疗设备中，例如手持超声仪或病人监护仪，MB87J8810凭借其低功耗和高可靠性特点，成为理想的内存解决方案。它同样适用于测试与测量仪器，用于高速采集数据的临时缓存，确保不丢失关键采样结果。
　　消费类电子产品中，如高端数码相机、多媒体播放器和智能终端设备，也可使用该SRAM来提升图像处理和多任务运行性能。此外，在嵌入式网关、IoT边缘节点和无线模块中，MB87J8810可用于协议栈处理和消息队列管理，增强系统响应能力。由于其工业级温度范围支持，该芯片还可用于汽车电子系统中的非动力域控制单元，如车载信息娱乐系统或ADAS辅助模块的数据缓存部分。