K3521-01L 是一款由韩国制造商 KEC(大韩电子)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种电源控制电路。K3521-01L 具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流承载能力,适用于中高功率场景。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (Id):30A
最大漏源电压 (Vds):30V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
导通电阻 Rds(on):约 4.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
功率耗散 (Pd):120W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
K3521-01L 的核心特性之一是其超低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
该器件的漏源耐压为 30V,能够满足低压大电流电源管理的需求,例如在同步整流、负载开关和电机控制中表现出色。
其高电流承载能力(连续漏极电流可达 30A)使得它在紧凑型功率转换系统中具有良好的适用性。
K3521-01L 使用 TO-252 封装,具有良好的散热性能,便于 PCB 布局和安装。
此外,该器件的栅极驱动电压兼容主流驱动 IC(支持 4.5V~10V 驱动电压),可适用于多种应用场景。
内置的体二极管具备良好的反向恢复特性,适用于开关频率较高的场合。
K3521-01L 广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于:
1. DC-DC 降压/升压转换器:用于高效能电源转换,如车载电源系统、工业电源和通信设备电源模块。
2. 同步整流器:在反激或正激拓扑中替代肖特基二极管,以提高转换效率。
3. 电池管理系统(BMS):用于控制电池充放电路径,实现高效率能量管理。
4. 电机驱动电路:适用于直流电机或步进电机的 H 桥控制,实现高效 PWM 控制。
5. 负载开关和电源管理:用于智能电源控制、热插拔保护、电源多路复用等场合。
6. LED 驱动器:用于恒流控制和开关调光应用。
Si4410DY-T1-GE3, IRF3710, AO4406A, FDS6680, TPS2R200-Q1