时间：2025/6/3 23:32:39
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FV21N220J102ECG是一款由Fairchild（现为Onsemi安森美）生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效能开关的电力电子应用中。
此型号具备低导通电阻和高击穿电压的特点，适合在高压环境下工作。同时，其快速开关速度有助于降低开关损耗，提高系统效率。
最大漏源极电压：220V
最大连续漏极电流：21A
导通电阻（典型值）：0.13Ω
栅极电荷（典型值）：85nC
总功耗：160W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压确保了器件在高压环境下的稳定性与可靠性。
2. 极低的导通电阻减少了传导过程中的能量损耗。
3. 快速开关性能使得它非常适合高频应用场合。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 内部设计具有抗雪崩能力，提高了整体系统的鲁棒性。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. DC-DC转换器。
3. 电机驱动电路。
4. 逆变器及不间断电源(UPS)。
5. 其他电力电子设备，如电池充电器和LED照明驱动器。
FDP21N220,
FQA21N22,
IRFP260N,
STP21NF22,
IXFN21N220
