时间：2025/8/2 7:27:50
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APM2607CC-TRG是一款由Advanced Power Technology（简称Advanced Power）制造的高性能功率MOSFET晶体管。该器件主要用于高频率和高功率应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。这款MOSFET采用先进的沟槽式功率技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了功率损耗并提高了效率。此外，APM2607CC-TRG采用了热增强型封装，以优化散热性能，适用于需要高效能和高可靠性的工业和汽车应用。
类型：功率MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：持续100A（Tc=25℃）
RDS(on)：最大值为5.3mΩ（典型值为4.5mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
功耗（PD）：2.5W（Tc=25℃）
导通延迟时间：3.5ns
关断延迟时间：9.8ns
APM2607CC-TRG的特性主要体现在其出色的电气性能和热性能上。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使得在高频应用中表现出色，开关损耗更低。此外，APM2607CC-TRG采用了PowerPAK SO-8封装，这种封装不仅尺寸小巧，而且具有良好的散热能力，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。由于其栅极电荷（Qg）较低，该MOSFET在高频开关应用中可以减少驱动损耗，从而进一步提升效率。APM2607CC-TRG还具备较强的过载能力和热稳定性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作，确保系统的可靠运行。
APM2607CC-TRG广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。典型应用包括同步整流DC-DC降压转换器、升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统。在服务器电源、电信设备和便携式电子产品中，APM2607CC-TRG也常用于实现高效的电源管理。此外，由于其出色的热性能和高电流能力，该器件还适合用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等应用。
Si7490DP-T1-GE3, FDS6680, AON6260
