TT150N18KOF是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的高功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于高功率开关场合,如工业电机驱动、逆变器、太阳能逆变器和电力转换系统。该模块采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体效率和热性能。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1800V
额定集电极电流(IC):150A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:模块化封装(如EasyPIM)
短路耐受能力:有
栅极驱动电压:±15V典型
技术:沟槽栅场截止(Trench FS)
TT150N18KOF具有多项高性能特性,适用于高功率密度和高效率的电力电子系统。其采用的沟槽栅场截止技术有效降低了导通压降和开关损耗,同时提高了短路耐受能力,使得系统在高负载条件下依然能够稳定运行。
该模块具备较高的热稳定性和耐久性,能够在严苛的工作环境下保持良好的性能。此外,其设计支持模块化安装,便于散热和维护,降低了系统的整体设计复杂度。内置的二极管可提供反向电流保护,进一步增强了系统的可靠性。
TT150N18KOF的封装设计优化了电流分布和热管理,确保在高电流工作时的稳定性和安全性。模块还具有较低的电磁干扰(EMI),有助于提高系统的整体兼容性和稳定性。
TT150N18KOF常用于需要高功率和高可靠性的电力电子设备中。典型应用包括工业变频器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电能质量调节设备以及电动汽车充电系统等。在这些应用中,该模块可以有效地实现高效的能量转换和控制,满足现代工业对节能和高性能的严格要求。
此外,TT150N18KOF还可用于铁路牵引系统、风力发电逆变器以及智能电网中的电力调节设备。其高耐压能力和大电流承载能力使其成为高功率场合的理想选择,支持系统实现更高的效率和更长的使用寿命。
SKM150GB176D, FF150R12KS4