K3337-01 时间：2025/8/9 9:43:26 阅读：11

K3337-01 是一款由韩国制造商 KEC（Korea Electronics Corporation）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中。K3337-01 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和电流承载能力，是一款性价比极高的功率器件。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　功率耗散（Pd）：100W

特性

K3337-01 MOSFET 具备低导通电阻（Rds(on)）特性，这使其在导通状态下损耗极低，有利于提高电源转换效率。其 Rds(on) 在 Vgs=10V 时仅为 4.5mΩ，适合高电流应用。
　　该器件支持高达 110A 的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适用于高功率密度设计。
　　K3337-01 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热传导性能，能够在高功率操作下保持较低的结温，从而提高系统的稳定性和寿命。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可在 +10V 至 +20V 之间正常工作，兼容多种驱动电路设计，便于在不同应用中灵活使用。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护，增强系统的可靠性。

应用

K3337-01 广泛应用于多种功率电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的主开关器件、同步整流器、DC-DC 转换器中的高侧或低侧开关、负载开关电路、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）等。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，K3337-01 特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换模块，如服务器电源、工业控制设备、电动车充电系统以及太阳能逆变器等应用场景。
　　在设计中使用该器件可有效降低导通损耗，提高整体能效，并简化散热设计，有助于实现紧凑型高功率密度系统。