工作频率：2.7 GHz 至 3.5 GHz
　　 输出功率：65 W（典型值）
　　 漏极电压：28 V
　　 增益：18 dB（典型值）
　　 效率：55%（典型值）
　　 输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）
　　 工作温度范围：-40°C 至 +150°C

TGA4906-SM 的核心优势在于其基于 GaN 技术的卓越性能。氮化镓材料具有高电子迁移率和高击穿电压，使其能够在高频下提供高功率密度和高效率。该器件采用 Qorvo 的 GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）工艺制造，提供了良好的热管理和可靠性。此外，TGA4906-SM 具有高线性度，适用于需要低失真的通信系统，例如 LTE 和 5G 基站。其封装设计支持高功率操作，同时保持良好的热传导能力。器件内部集成了输入匹配电路，减少了外部元件的数量，简化了设计并节省了空间。
　　 在稳定性方面，TGA4906-SM 通过了严格的测试，确保在各种负载条件下都能稳定工作。它还具有出色的抗失真能力，适用于高数据速率传输系统。该晶体管的高效率特性有助于降低功耗和散热需求，从而提高整体系统的能效和可靠性。TGA4906-SM 还具备良好的抗静电放电（ESD）能力，增强了在复杂环境中的耐用性。

TGA4906-SM 主要用于高性能射频功率放大器的设计，特别是在无线通信基础设施中，如蜂窝基站（包括 4G LTE 和 5G NR 系统）、雷达发射机、工业测试设备以及宽带通信系统。其高输出功率和宽频率范围使其适用于多频段、多标准的基站应用。此外，由于其高可靠性和热稳定性，它也适合用于航空航天和国防领域的高要求系统中，如电子战设备和高精度雷达系统。

TGA4907-SM, TGF2955, TGA4517-SM