时间：2025/8/1 21:39:39
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CS16N06AE-G 是一款由 Caswell Technologies 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟道技术，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等高功率场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：16A
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：83W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
晶体管配置：单
CS16N06AE-G 的最大漏源电压为 60V，能够承受较高的电压应力，适合用于中等功率的电源转换电路。其栅源电压容限为 ±20V，具备较强的抗过压能力，避免栅极击穿。器件的连续漏极电流为 16A，能够支持较高的负载电流，适用于大功率负载开关或电机驱动应用。
该 MOSFET 的导通电阻为 45mΩ，在 VGS=10V 时表现出较低的导通损耗，有助于提高系统的整体效率。同时，其最大功率耗散为 83W，能够在较高的功率环境下稳定运行。TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，确保器件在高温环境下的可靠性。
CS16N06AE-G 常用于各种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能功率转换电路的理想选择。此外，该 MOSFET 还可用于逆变器、LED 驱动器、工业控制设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。
IRFZ44N, STP16NF06, FQP16N06, IRLZ44N
