时间：2025/9/12 8:56:45
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KTC4369-Y 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动以及各种高功率电子设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点，适合高频开关应用。KTC4369-Y 采用TO-220封装形式，具有良好的热性能和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续100A
导通电阻(Rds(on))：最大2.8mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
阈值电压(Vgs(th))：1.5V ~ 2.5V（Id=250μA）
KTC4369-Y 的核心优势在于其优异的导通性能与耐压能力。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于需要高效率、高功率密度的设计场景。该器件的TO-220封装有助于良好散热，保证在高负载条件下的稳定运行。
此外，KTC4369-Y 在设计上优化了开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体系统的可靠性。该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路等异常情况下保持稳定工作。
由于其高栅极驱动兼容性，KTC4369-Y 可与常见的驱动电路（如PWM控制器或微处理器）配合使用，适用于各种工业控制和功率管理应用。
KTC4369-Y 主要用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器；
2. DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）电路；
3. 马达控制与驱动电路；
4. 负载开关和电池管理系统；
5. 工业自动化设备和电源模块；
6. 逆变器与UPS（不间断电源）系统。
该器件的高效率和高可靠性使其成为高性能功率电子系统中的理想选择。
SiHH100N60E、IPW90R120P7、FDMS86180、IXTH100N60C4
