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DMP3099L-13 发布时间 时间:2025/5/7 17:15:32 查看 阅读:8

DMP3099L-13是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes Incorporated生产。该器件采用DFN3020-8封装形式,具有小尺寸和高效率的特点,非常适合用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和快速开关性能使其成为消费电子、通信设备及工业应用中的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:4.6A
  导通电阻(典型值):7mΩ
  栅极电荷(典型值):6nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

DMP3099L-13具备极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,它还拥有较小的封装尺寸,适合紧凑型设计。该器件的快速开关特性可有效降低开关损耗,适用于高频开关应用。
  其良好的热稳定性确保了在高温环境下依然能够可靠运行,同时较低的栅极电荷量有助于实现高效的驱动电路设计。整体而言,DMP3099L-13以高性能和高可靠性见长,是现代电源管理解决方案中的重要元件。

应用

DMP3099L-13广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路以及各类便携式电子设备中。由于其小型化特点,这款MOSFET特别适合手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求较高的产品。此外,在多通道电源管理系统和LED驱动电路中也常见其身影。

替代型号

DMN2990L-13
  DMP2008UFG-7
  AO3400

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DMP3099L-13参数

  • 现有数量35,965现货180,000Factory
  • 价格1 : ¥2.86000剪切带(CT)10,000 : ¥0.42071卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)65 毫欧 @ 3.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)563 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.08W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3