时间：2025/5/7 17:15:32
阅读：23
DMP3099L-13是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes Incorporated生产。该器件采用DFN3020-8封装形式，具有小尺寸和高效率的特点，非常适合用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和快速开关性能使其成为消费电子、通信设备及工业应用中的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：4.6A
导通电阻（典型值）：7mΩ
栅极电荷（典型值）：6nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至150℃
DMP3099L-13具备极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外，它还拥有较小的封装尺寸，适合紧凑型设计。该器件的快速开关特性可有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。
其良好的热稳定性确保了在高温环境下依然能够可靠运行，同时较低的栅极电荷量有助于实现高效的驱动电路设计。整体而言，DMP3099L-13以高性能和高可靠性见长，是现代电源管理解决方案中的重要元件。
DMP3099L-13广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路以及各类便携式电子设备中。由于其小型化特点，这款MOSFET特别适合手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求较高的产品。此外，在多通道电源管理系统和LED驱动电路中也常见其身影。
DMN2990L-13
DMP2008UFG-7
AO3400
