时间：2025/7/1 11:15:32
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TMK325BJ335MN-T 是一款由知名制造商生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于高电压、大电流的开关电路，例如开关电源、电机驱动和逆变器等领域。其设计旨在提供高效的功率转换和卓越的热性能。这款芯片采用了先进的制造工艺，确保了在高频工作条件下的低损耗表现。
TMK325BJ335MN-T 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提高系统的整体效率并降低发热。
类型：N沟道增强型 MOSFET
额定电压：700V
额定电流：16A
导通电阻：0.28Ω
栅极电荷：45nC
最大功耗：18W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗。
3. 快速开关特性，支持高频操作。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣工作条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
6. 小尺寸封装，便于 PCB 布局设计。
7. 内部保护机制可有效防止过流和过热现象。
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关。
2. 电机驱动控制，如家用电器、工业设备中的直流无刷电机驱动。
3. 太阳能逆变器的核心功率转换元件。
4. LED 驱动电路中的高效开关。
5. 各种高频 DC-DC 转换器及升压/降压模块。
6. 工业自动化系统中的负载切换与控制。
7. 电动车充电站和电池管理系统中的关键组件。
IRF840
FQP18N65C
STW81N75D
IXTH16N75L
