类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.33Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

2N4957A 具备多项优良特性，适用于多种功率控制应用。其主要特性之一是低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的最大漏源电压（500V）和漏极电流（14A），适合用于中高功率场合。其 TO-220 封装形式具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的运行。2N4957A 的栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，使其能够兼容多种驱动电路，如常见的逻辑 IC 或微控制器输出。此外，该器件具有较快的开关速度，能够满足高频开关应用的需求，降低开关损耗。
　　在可靠性方面，2N4957A 设计有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下运行。同时，其结构设计有助于减少雪崩击穿的风险，提高在高电压条件下的工作稳定性。这些特性使得该器件在电源转换器、马达控制、LED 照明驱动以及工业自动化设备中具有广泛的应用前景。

2N4957A 主要应用于需要中高功率开关控制的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可作为主开关元件，用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。此外，它也常用于直流电机控制、LED 照明调光、逆变器和不间断电源（UPS）等功率电子设备中。在工业自动化领域，2N4957A 可用于继电器替代、负载开关控制以及高精度电源管理系统。由于其具备较高的电压和电流能力，也适用于一些高要求的消费类电子产品，如电源适配器、充电器以及智能家电等。

IRF840, IRF740A, FDPF4N50