时间：2025/8/13 19:28:25
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LBZT52B11T1G 是一款由ON Semiconductor生产的精密稳压二极管（Zener Diode），广泛用于电压参考、电压调节和保护电路中。该器件采用SOD-123表面贴装封装，适用于各种便携式电子设备和高密度PCB设计。其额定功率为200mW，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出。
类型：稳压二极管（Zener Diode）
型号：LBZT52B11T1G
封装形式：SOD-123
标称稳压电压：11V
最大耗散功率：200mW
最大稳压电流：100mA
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
最大反向漏电流：100nA（@ VR=1V）
稳压电压容差：±2%
测试电流：20mA
LBZT52B11T1G 的核心特性之一是其高精度的稳压电压控制，标称值为11V，且容差仅为±2%，适用于对电压精度要求较高的电路设计。该器件在20mA的测试电流下表现出良好的动态阻抗，确保在负载变化时仍能维持稳定的电压输出。其SOD-123封装体积小，便于在空间受限的电路板上安装，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
此外，LBZT52B11T1G 具有较低的动态阻抗，在不同工作电流下保持稳定的电压特性，适用于低功耗稳压电路。其反向漏电流极低，在1V反向电压下最大仅为100nA，有助于减少静态功耗。该器件的温度系数较小，能在-55°C至+150°C的温度范围内保持稳定的性能，适用于工业级和汽车电子应用。
在可靠性方面，LBZT52B11T1G 采用高质量的硅材料和封装工艺，具备良好的耐湿性和热稳定性，符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
LBZT52B11T1G 主要用于需要稳定电压参考的电路中，例如电源管理模块、电池充电电路、电压监测系统、模拟信号调理电路以及微控制器的电压参考源。由于其高精度和良好的温度稳定性，该器件在汽车电子、工业控制系统、消费类电子产品和通信设备中均有广泛应用。此外，它还可用于保护敏感电子元件免受过压和静电放电（ESD）损害。
BZT52B-11, 1N4742A, MMBZ52B11BLT1G
