型号：K30M4045
　　制造商：Samsung
　　器件类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：16 Gb (2 GB)
　　组织结构：8G x32
　　工作电压：1.35 V ± 0.075 V
　　最大数据速率：16 Gbps/pin
　　接口类型：32-bit
　　时钟频率：800 MHz（有效频率1600 MHz）
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　存储温度范围：-55°C 至 +100°C
　　JEDEC 标准兼容性：JESD209-4
　　刷新模式：自动/自刷新
　　数据掩码功能：支持 DQM_T/DQM_C
　　突发长度：BL16, Interleave 或 Sequential
　　写入恢复时间：tWR = 32ns 典型值

K30M4045 具备多项先进特性，使其成为当前高性能图形内存市场的关键组件之一。首先，其采用的GDDR6架构引入了双通道预取架构（Dual-channel architecture），每个通道独立运行，宽度为16位，合计实现32位总线宽度。这种设计显著提升了整体带宽利用率，并降低了访问冲突，尤其适用于多线程并行访问的GPU核心架构。相比前代GDDR5X，K30M4045不仅将数据速率从10-14 Gbps提升至最高16 Gbps，同时通过优化电源管理机制实现了更低的每比特功耗，提高了能效比。
　　其次，该芯片支持可编程输出驱动强度和片内终端（ODT），允许系统设计者根据实际布线情况调整信号电平和阻抗匹配，极大增强了高速信号传输中的稳定性和抗干扰能力。配合差分时钟输入（CK_t/CK_c）和数据选通信号（DQS_t/DQS_c），可在高频下保持精确的时序同步，减少误码率。此外，K30M4045集成了温度传感器和动态刷新控制功能，可根据芯片内部温度自动调节刷新周期，在高温环境下保障数据完整性的同时避免过度消耗电流。
　　再者，K30M4045遵循JEDEC JESD209-4标准，具备良好的互操作性和标准化接口定义，便于不同厂商之间的系统集成与测试验证。其FBGA-96封装具有优良的散热性能和机械可靠性，适用于多层PCB堆叠设计，并支持回流焊工艺。最后，该器件提供多种功耗管理模式，包括深度掉电模式（Deep Power-down Mode）和自刷新挂起模式，能够在非活跃状态下大幅降低静态功耗，延长设备续航时间或减少数据中心的热负荷。这些综合特性使得K30M4045在追求极致性能与能效平衡的应用中表现出色。

K30M4045 主要应用于需要极高内存带宽和快速数据访问速度的高端电子设备中。最典型的应用场景是独立显卡（Discrete Graphics Cards），如NVIDIA GeForce RTX系列、AMD Radeon RX系列以及专业级的Tesla、Radeon Pro等产品，用于支撑复杂的3D渲染、光线追踪计算和大规模并行数据处理任务。在此类设备中，多颗K30M4045芯片常被围绕GPU核心布置，组成高达12GB甚至24GB的显存池，提供超过500 GB/s的聚合带宽。
　　此外，K30M4045也被广泛用于新一代游戏主机，例如索尼PlayStation 5和微软Xbox Series X/S，这些平台依赖高带宽GDDR6内存来实现4K/120fps的游戏体验、快速加载和沉浸式视觉效果。在人工智能和机器学习领域，搭载此类内存的加速卡（如AI推理卡、FPGA协处理器）能够高效处理神经网络中的权重矩阵运算，缩短模型响应时间。
　　其他应用还包括高性能计算（HPC）系统、数据中心GPU服务器、虚拟现实（VR）头显设备、高端显示器控制器以及视频编辑工作站。由于其出色的温度适应性和长期运行稳定性，K30M4045也适合工业级和嵌入式视觉系统使用。随着8K内容创作、元宇宙平台和边缘AI计算的发展，该芯片的应用前景将持续扩展。