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IS66WVE1M16EBLL-70BLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:38:00 查看 阅读:8

IS66WVE1M16EBLL-70BLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的存储容量为1Mbit,组织形式为16位的数据总线(x16),适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景。该芯片采用了低功耗设计,支持多种工作模式,包括待机模式和自动休眠模式,适用于对功耗敏感的嵌入式系统。

参数

容量:1Mbit
  组织形式:x16
  访问时间:70ns
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装形式:54-TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  工作模式:异步模式
  封装尺寸:54-TSOP

特性

IS66WVE1M16EBLL-70BLI 的核心特性之一是其高速访问时间,70ns的存取速度使其适用于对响应时间要求较高的系统,例如通信设备、工业控制和网络设备等。此外,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了在不同电源环境下的适应能力,增强了系统的稳定性。其54-TSOP封装形式不仅体积小巧,而且便于在高密度PCB布局中使用,适合现代电子产品的紧凑设计需求。
  该芯片的低功耗设计是其另一大亮点。在待机模式下,芯片的功耗显著降低,有助于延长电池供电设备的续航时间。同时,其自动休眠功能可以在不使用时自动进入低功耗状态,从而进一步减少能量消耗。这种特性在便携式设备和嵌入式系统中尤为重要。
  IS66WVE1M16EBLL-70BLI 还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。这使得它非常适合用于工业控制、自动化设备和车载电子系统等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

IS66WVE1M16EBLL-70BLI 被广泛应用于多个领域,包括通信设备、工业控制系统、嵌入式系统、网络设备和车载电子产品。在通信设备中,该芯片用于缓存数据和高速处理,以满足实时性要求。例如,在路由器和交换机中,IS66WVE1M16EBLL-70BLI 可作为临时存储器用于快速访问数据包信息。
  在工业控制系统中,该芯片可以作为主控芯片的高速存储器,用于存储实时数据和程序指令。由于其工业级温度范围(-40°C至+85°C),它可以在恶劣的工业环境中稳定运行,适用于自动化生产线、机器人控制等场景。
  在嵌入式系统中,IS66WVE1M16EBLL-70BLI 常被用于便携式设备,如手持终端、智能仪表和医疗设备,以满足低功耗和高速响应的需求。其自动休眠和低功耗特性能够有效延长设备的电池寿命。
  在网络设备中,该芯片可用于高速缓存,提升数据传输效率,确保设备在高负载情况下的稳定运行。此外,在车载电子系统中,如车载导航系统或车载监控设备,IS66WVE1M16EBLL-70BLI 也可作为高速数据缓存,提高系统的响应速度和可靠性。

替代型号

IS66WVE1M16EBLL-70BLI 可以替代的型号包括 ISSI 的其他 SRAM 芯片,如 IS66LV1024、IS66WV1008EBLL-70BLI,以及美光(Micron)和赛普拉斯(Cypress)等相关型号,具体替代方案需根据实际应用需求进行评估。

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IS66WVE1M16EBLL-70BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格480 : ¥22.13502托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)