STGIPL14K60是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高压功率MOSFET,属于STPOWER系列。该器件采用了先进的IGBT技术,专为高效率、高可靠性的工业应用设计。STGIPL14K60具有较低的导通压降和开关损耗,能够满足高功率密度应用的需求,同时具备出色的热性能和电气特性。
最大集电极-发射极电压:1400V
最大集电极电流:60A
最大栅极-发射极电压:±20V
导通压降(典型值):1.8V
开关时间(开通/关断):500ns / 300ns
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
STGIPL14K60采用沟槽栅极场截止(Trench Gate Field Stop)技术,确保其在高频开关条件下的高效性能。
该器件具有快速开关能力,可有效降低开关损耗。
内置反并联二极管,有助于减少电路复杂度并提高系统可靠性。
其高耐压特性和大电流承载能力使其非常适合用于工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等领域。
此外,STGIPL14K60还具有良好的短路耐受能力和鲁棒性,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
STGIPL14K60广泛应用于各种高功率工业场合,包括但不限于以下领域:
工业电机驱动
不间断电源(UPS)
太阳能逆变器
焊接设备
感应加热
电动车充电站
高功率转换器和变频器
STGIPM60K120D, STGIPM50K120D