H9CKNNNDATMRPR-NUH 是由SK Hynix生产的一款高带宽内存(HBM, High Bandwidth Memory)芯片,专为高性能计算、图形处理和AI加速器等需要极高内存带宽的应用而设计。这款HBM芯片通过3D堆叠技术将多个DRAM芯片垂直连接,从而实现比传统GDDR或DDR内存更高的带宽和更紧凑的封装。H9CKNNNDATMRPR-NUH 支持高频率运行,提供极低延迟和高能效表现,适用于如GPU、FPGA和专用AI芯片等先进计算平台。
容量:1GB/2GB/4GB
内存类型:High Bandwidth Memory (HBM2)
接口类型:宽总线接口(多通道并行)
时钟频率:最高可达2.4Gbps/pin
电压:1.3V(核心电压)
封装类型:3D堆叠封装,BGA封装
带宽:每堆栈高达410GB/s(具体取决于控制器设计)
工作温度范围:0°C至+85°C
封装尺寸:约5.5mm x 7.5mm
H9CKNNNDATMRPR-NUH 的核心优势在于其3D堆叠架构,使得内存带宽显著提升,远超传统GDDR5或DDR4内存。该芯片通过TSV(Through Silicon Via,硅通孔)技术实现层间高速互联,降低了信号延迟并提高了能效比。此外,该HBM芯片采用紧凑型封装设计,减少了PCB布局空间,提高了系统集成度。
该芯片还具备出色的热管理和高可靠性设计,能够在高负载环境下保持稳定运行。H9CKNNNDATMRPR-NUH 支持ECC(Error Correction Code)功能,增强了数据完整性和系统稳定性,特别适合用于对数据可靠性要求极高的AI训练、图形渲染和高性能计算(HPC)应用。
其低功耗特性得益于优化的电路设计和先进的制造工艺,使得该芯片在高频率下仍能保持较低的功耗水平,适用于需要长时间运行的服务器和工作站环境。
H9CKNNNDATMRPR-NUH 广泛应用于需要高带宽内存的高性能计算设备,如NVIDIA和AMD的高端GPU、FPGA开发平台、AI加速卡以及高性能服务器和工作站。该芯片特别适合用于深度学习训练、图形渲染、科学计算、数据中心加速等对内存带宽和能效要求极高的场景。
H9HKLNNS1MMRPR-NUH, H9HPNNNCTMMRPR-NUH