时间：2025/7/11 18:34:06
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DPC817C是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、负载开关和电机驱动等领域。其设计具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等优点，能够满足高效能电子设备的需求。
该器件采用先进的工艺制造，能够在较宽的工作电压范围内提供稳定的性能表现。同时，DPC817C支持表面贴装封装(SOP-8)，使其非常适合现代紧凑型设计。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：5.4A
导通电阻(Rds(on))：0.035Ω(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：1.3W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装类型：SOP-8
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压和大电流能力，确保在严苛条件下稳定工作。
3. 快速开关性能，适合高频应用环境。
4. SOP-8封装小巧且易于安装，适用于空间受限的设计。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 内部设计具备静电保护功能，增强了器件的可靠性。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC转换器及负载开关控制。
3. 电池保护电路和过流保护。
4. 小型电机驱动和LED照明控制。
5. 各类便携式电子产品中的功率管理模块。
DPC817B, DPC818C, IRF530, FDN337N
