时间：2025/6/30 17:54:25
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GA1206A1R0BBABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力，能够显著提高系统的效率并减少热损耗。
这款功率 MOSFET 支持高频开关操作，适合要求高效能和高可靠性的应用场合。
型号：GA1206A1R0BBABR31G
类型：N-Channel MOSFET
额定电压(Vdss)：120V
额定电流(Id)：64A
导通电阻(Rds(on))：1.0mΩ（最大值，典型值为0.8mΩ）
栅极电荷(Qg)：97nC
输入电容(Ciss)：3740pF
输出电容(Coss)：125pF
反向恢复时间(trr)：45ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
GA1206A1R0BBABR31G 具有以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以有效降低导通损耗，提升整体效率。
2. 高额定电流支持大功率应用，满足工业及汽车领域需求。
3. 快速开关性能，适合高频电路设计。
4. 强大的雪崩耐受能力，提高了器件在异常情况下的可靠性。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间的同时保证良好的散热性能。
6. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境条件。
该器件适用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 的主开关或同步整流。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. LED 驱动器以及各种需要高效功率管理的场景。
GA1206A1R0BBABR28G, GA1206A1R0BBABR30G
