类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40 V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.8 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：7 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = 10 V：约 130 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@ VGS = 4.5 V：约 170 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 2.0 V，范围 1.0 - 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：约 350 pF @ VDS = 20 V, VGS = 0 V
　　输出电容（Coss）：约 110 pF
　　反向传输电容（Crss）：约 40 pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值 8 nC @ VDS = 20 V, ID = 1.8 A
　　功耗（Ptot）：1 W（TC = 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装：SOT457 (TSOP6)

K1400SRP采用TrenchMOS技术制造，这种先进的制造工艺使得器件能够在较小的芯片面积上实现更低的导通电阻和更高的载流能力。其核心优势之一是低RDS(on)，在VGS=10V时仅为130mΩ左右，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。尤其在便携式设备和电池供电系统中，这一特性有助于延长续航时间。同时，在VGS=4.5V时仍能保持170mΩ以下的导通电阻，说明其在低电压驱动条件下依然具备优良的导通性能，非常适合3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用环境。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg≈8nC）和输入/输出电容，使其在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流型DC-DC变换器或PWM调光电路中可有效减少开关损耗。此外，K1400SRP具备良好的热稳定性，其最大功耗为1W（在环境温度25°C下），结合SOT457封装的散热设计，可以在紧凑的空间内稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛的工作环境，包括工业控制和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。
　　内置的体二极管提供了反向电流路径，在感性负载切换过程中起到续流作用，增强了电路的安全性和可靠性。同时，该MOSFET具备一定的ESD防护能力，能够在装配和使用过程中抵御一定程度的静电放电冲击，提升生产良率和产品寿命。SOT457封装不仅体积小、重量轻，而且引脚布局优化，便于自动化贴片和回流焊工艺，适用于大规模批量生产。综合来看，K1400SRP凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子系统中理想的功率开关解决方案之一。

K1400SRP广泛应用于多种中低功率电子系统中，特别是在需要高效开关控制和空间紧凑设计的场合。其典型应用包括各类DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）及降压-升压（Buck-Boost）拓扑结构中的同步整流开关，利用其低导通电阻特性降低能量损耗，提高转换效率。在电池供电设备如智能手机、平板电脑、便携式医疗仪器和个人电子助理中，该器件常用于电源路径管理、负载开关控制和电池充放电回路中，实现对不同功能模块的独立供电与节能管理。
　　在LED照明系统中，K1400SRP可用于恒流驱动电路或PWM调光控制，通过高速开关调节亮度，同时保持较低的发热水平。由于其支持3.3V和5V逻辑电平直接驱动，因此非常适合作为微控制器GPIO口的功率扩展器件，用于驱动继电器、小型电机、电磁阀或其他外围负载。在工业自动化和消费类电子产品中，它也常用于H桥电机驱动电路中的低端开关，配合其他MOSFET实现正反转控制。
　　此外，该器件还可用于热插拔电路、USB电源开关、电源多路复用器以及各种过流保护和短路保护电路中。其SOT457小型封装特别适合高密度PCB布局，广泛见于路由器、机顶盒、智能仪表和传感器模块等设备中。得益于其高可靠性和宽温度工作范围，K1400SRP也被部分应用于汽车电子辅助系统，如车内照明控制、车载信息终端和小型执行机构驱动等非主驱系统中。总之，无论是在民用、工业还是汽车领域，只要涉及中低电流、中低电压的开关控制需求，K1400SRP都是一种极具性价比和实用价值的选择。

BSS138AK, PMMBF1400, FDS6680A, AO3400