工作频率范围：18 GHz 至 26 GHz
　　小信号增益：约 20 dB
　　噪声系数：典型值 2.6 dB
　　输出P1dB压缩点：典型值 +10 dBm
　　IIP3（三阶交调截点）：典型值 +18 dBm
　　工作电压：+5 V
　　静态电流：典型值 95 mA
　　输入回波损耗：优于 -10 dB
　　输出回波损耗：优于 -12 dB
　　封装类型：3 mm × 3 mm 陶瓷表贴封装（SMT）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：HBM > 1 kV

HMC747LC3CTR具有出色的射频性能，在整个18 GHz至26 GHz的工作频段内展现出稳定的增益响应和平坦的频率特性。其典型小信号增益高达20 dB，能够有效提升微弱信号的幅度，从而改善接收系统的整体灵敏度。更重要的是，该器件的噪声系数仅为2.6 dB左右，这对于低噪声放大器而言是非常优异的表现，意味着它在放大信号的同时引入的额外噪声非常少，特别适合用于接收链路的第一级放大。
　　该芯片采用GaAs pHEMT工艺制造，具备良好的高频特性和功率效率。由于内部已集成输入和输出阻抗匹配网络，用户无需进行复杂的外部匹配设计，大幅降低了开发难度并节省了PCB布局空间。此外，HMC747LC3CTR具备良好的线性度表现，其输出P1dB压缩点达到+10 dBm，IIP3可达+18 dBm，表明其在处理较强信号时仍能保持较低的失真水平，适用于多载波或高动态范围的应用场景。
　　该器件使用+5V单电源供电，静态电流约为95 mA，整体功耗控制合理，适合持续工作的系统应用。其陶瓷封装不仅提供了优异的热稳定性，还增强了高频下的电气性能一致性，并具备良好的散热能力。封装尺寸仅为3 mm × 3 mm，支持表面贴装工艺，便于集成到紧凑型模块中。HMC747LC3CTR还具备较强的环境适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于户外通信设备或恶劣环境下的部署。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的制造和测试流程，符合RoHS环保标准，具备较高的ESD防护能力（HBM > 1 kV），有助于提高生产良率和现场使用寿命。总体而言，HMC747LC3CTR是一款面向高端微波应用的高度集成、高性能低噪声放大器解决方案。

HMC747LC3CTR广泛应用于高频通信和雷达系统中，尤其是在K波段（18 GHz - 26 GHz）的无线基础设施中发挥关键作用。其主要应用场景包括点对点和点对多点微波回传系统，这些系统常用于城市间或基站之间的高速数据传输，要求前端LNA具备低噪声和高增益特性以延长链路距离并提高信噪比。此外，该器件也适用于卫星通信地面站的接收前端，特别是在VSAT（甚小口径终端）系统中，作为低噪声块下变频器（LNB）中的前置放大器，帮助提升微弱卫星信号的接收质量。
　　在雷达领域，HMC747LC3CTR可用于相控阵雷达、气象雷达和车载毫米波雷达的接收通道中，提供稳定的增益和极低的附加噪声，有助于提高目标检测精度和距离分辨率。由于其良好的线性度和较高的输出功率能力，即使在复杂电磁环境中也能保持清晰的信号还原能力。
　　测试与测量设备是另一个重要应用方向。许多矢量网络分析仪、频谱仪和信号发生器在其内部射频路径中需要宽带、低噪声的放大元件，HMC747LC3CTR因其宽频带和一致的性能表现成为理想选择。此外，科研机构在开发毫米波实验平台或太赫兹系统前端时，也会选用此类高性能LNA进行信号调理。
　　由于该器件采用小型化陶瓷表面贴装封装，因此也非常适合集成于小型化射频模块、毫米波天线阵列单元或MCM（多芯片模块）中，满足现代通信系统对高密度集成的需求。无论是商业通信、国防电子还是高端仪器仪表，HMC747LC3CTR都能提供可靠的射频放大支持。

HMC748LC3CTR
　　HMC847LC3CTR
　　HMC1047LC3CTR