类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：4.7A（25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功率耗散（Pd）：50W
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至150°C

FQPF5N60CNZ MOSFET的主要特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达到600V，使其适合用于高电压环境。此外，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件还具有快速开关特性，适用于高频操作环境，从而提高了整体性能并降低了热量产生。
　　另一个关键特性是其耐用性，能够承受一定的过载和瞬态条件，这在工业和高要求的应用中尤为重要。FQPF5N60CNZ采用TO-220封装，具有良好的热管理和散热能力，适合高功率应用。此外，其栅极驱动要求较低，便于与各种控制器和驱动器配合使用。
　　该MOSFET还具备良好的温度稳定性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境。这种稳定性使其在高温或低温应用中表现出色，例如工业设备、电源供应器以及照明系统。

FQPF5N60CNZ广泛应用于多种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、逆变器、电机控制和电池管理系统。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为高效能电源转换系统的理想选择。此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动器、家电电机控制、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等场景。

STP5NK60Z, FQA5N60C, IRFBC40, FQPF5N60C