时间：2025/9/24 16:43:18
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ACNT-H790-000E 是安华高（Broadcom / Avago）推出的一款高性能、单通道隔离式栅极驱动器，专为驱动功率半导体器件（如IGBT、MOSFET和SiC MOSFET）而设计。该器件采用光耦合技术实现输入与输出之间的电气隔离，具备高噪声 immunity 和可靠的信号传输能力，适用于工业电机控制、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业自动化等高要求的应用场景。ACNT-H790-000E 采用紧凑的8引脚宽体SOIC封装，符合安全标准，提供高达5 kVRMS的隔离电压，确保在高压环境下的稳定运行。
该芯片的输入侧为LED驱动，兼容CMOS/TTL逻辑电平，可直接连接微控制器或数字信号处理器（DSP）。输出侧集成了推挽式输出级，能够提供高峰值输出电流，快速充放电栅极电容，从而有效减少开关损耗并提升系统效率。此外，ACNT-H790-000E 内部集成了多项保护功能，包括欠压锁定（UVLO）、米勒钳位和有源Miller钳位电路，防止因噪声或寄生效应导致的误开通，显著提高系统的可靠性和鲁棒性。
产品型号：ACNT-H790-000E
制造商：Broadcom Limited (Avago)
系列：ACNT-H790
工作温度范围：-40°C 至 +110°C
隔离电压：5000 V RMS（1分钟，UL 1577）
最大数据速率：2 MBd
传播延迟：典型值 100 ns
上升时间：典型值 30 ns
下降时间：典型值 30 ns
峰值输出电流：±2.5 A
电源电压（VCC）：15 V 至 30 V
逻辑侧电源电压（VDD）：4.5 V 至 5.5 V
封装类型：8-SOIC Wide Body
爬电距离：≥8 mm
内部通道数：1
绝缘材料：聚酰亚胺
ACNT-H790-000E 的核心特性之一是其高可靠性电气隔离能力。该器件采用先进的光耦合技术，在输入和输出之间构建了坚固的电隔离屏障，支持高达5000 V RMS的隔离电压，并满足UL、CSA、VDE等国际安全标准。这种高隔离性能使其能够在高压、高噪声的工业环境中安全运行，有效防止接地环路、电压瞬变对控制系统造成影响。同时，其宽体SOIC封装设计提供了足够的爬电距离和电气间隙（≥8 mm），增强了在污染等级较高的应用中的长期稳定性。
另一个关键特性是其高速信号传输能力和低传播延迟。ACNT-H790-000E 支持最高2 MBd的数据速率，传播延迟典型值仅为100 ns，且延迟随温度变化小，保证了在高频开关应用中的精确时序控制。这对于现代高频功率变换系统（如光伏逆变器和车载充电机）至关重要，有助于减小滤波元件体积、提高能效并降低电磁干扰（EMI）。
输出驱动能力方面，该器件可提供高达±2.5 A的峰值输出电流，能够快速为功率MOSFET或IGBT的栅极电容充电和放电，从而显著缩短开关过渡时间，降低导通和关断过程中的功率损耗。此外，集成的推挽输出结构无需外部上拉/下拉电阻，简化了外围电路设计。
在保护功能方面，ACNT-H790-000E 集成了完善的欠压锁定（UVLO）机制，当VCC电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止功率器件工作在非饱和区而导致过热损坏。同时，内置的有源Miller钳位功能可在关断状态下主动将栅极电压拉低至地，抑制由高dv/dt引起的寄生电容耦合所导致的误开通现象，特别适用于碳化硅（SiC）MOSFET等高速开关器件的应用。这些保护机制大大提升了整个功率系统的安全性和可靠性。
ACNT-H790-000E 广泛应用于需要高隔离性能和高驱动能力的功率电子系统中。在工业电机驱动领域，它被用于驱动三相逆变器中的IGBT模块，实现对交流电机的精确调速与控制。由于其高噪声 immunity 和低传播延迟，能够保障PWM信号的完整性，提升控制系统响应速度。
在可再生能源系统中，如太阳能光伏逆变器和风力发电变流器，ACNT-H790-000E 被用来驱动DC-AC转换桥臂上的功率开关管。其高隔离电压和抗干扰能力确保了系统在户外复杂电磁环境下的长期稳定运行，同时支持高效能量转换。
在电动汽车基础设施中，该器件可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的PFC（功率因数校正）及DC-DC变换电路中，驱动SiC或GaN功率器件。其对高速开关器件的良好适配性有助于实现更高的开关频率和更小的无源元件尺寸，从而提高功率密度。
此外，ACNT-H790-000E 还适用于不间断电源（UPS）、工业开关电源（SMPS）、焊接设备和感应加热系统等高可靠性应用场景。在这些系统中，器件的高集成度和内置保护功能减少了外围元件数量，提高了整体系统的紧凑性和可靠性。
ACPL-H342-000E
HCPL-316J
SI8261BB-D-ISR
UCC23513
