时间：2025/8/6 11:26:34
阅读：14
IXTP3N50P是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET晶体管，属于其CoolMOS?系列产品线。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛应用于电源转换器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动、电池充电器以及其他需要高效能功率开关的场合。IXTP3N50P采用了先进的超结（Super Junction）技术，使其在导通电阻（Rds(on)）和开关损耗之间取得了良好的平衡，同时具备高耐压能力。该器件的封装形式为TO-220，便于散热并适用于通用的PCB安装。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：3A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大2.2Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：42W
漏极电容（Coss）：约52pF（典型值）
输入电容（Ciss）：约820pF（典型值）
IXTP3N50P作为一款CoolMOS产品，具有多项先进特性，适用于高效率功率转换系统。
首先，该器件采用了英飞凌独有的超结技术，显著降低了导通电阻，同时保持了高耐压能力，使得功率MOSFET在高电压下依然具备优异的导通性能，从而减少导通损耗，提高系统效率。
其次，IXTP3N50P具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提高电源系统的开关频率和响应速度。
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适应严苛的工业和车载应用环境。其TO-220封装设计提供了良好的散热性能，并且兼容标准的安装方式，便于集成到各种电路设计中。
安全性和可靠性方面，IXTP3N50P具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或负载突变情况下保持稳定运行，避免器件损坏。此外，其栅极氧化层经过优化设计，具备良好的抗静电和抗过压能力，提高了器件的长期稳定性。
最后，该器件具有广泛的应用兼容性，可作为多种电源拓扑结构中的主开关元件使用，如反激式、正激式、LLC谐振转换器等，适用于AC/DC、DC/DC转换模块以及LED驱动电源等应用场景。
IXTP3N50P适用于多种功率电子系统，尤其适合高效率、高频开关电源的设计。典型应用包括：
? 开关电源（SMPS）
? 适配器和充电器电源模块
? LED照明驱动电路
? 电池充电管理系统
? 工业自动化电源系统
? 电信和服务器电源
? 逆变器与UPS不间断电源
? 家用电器电源模块
该器件特别适用于那些需要高效率、小体积和良好散热性能的电源设计，例如紧凑型AC/DC电源适配器或高效DC/DC转换器。
SPA3N50C3AG | SPA3N50C3 | FQP3N50C | FQA3N50C | STP3N50K5 | STP3NK50Z | IRFBC30
