时间：2025/9/2 12:23:24
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JX2N4260 是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于功率放大器、电源管理、开关电源以及电机控制等应用。该器件采用TO-220封装，具备高耐压和高电流能力，适合于需要高效开关性能的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：8A
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±30V
导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω
功率耗散：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
JX2N4260 MOSFET 具备出色的开关性能和高可靠性，适用于多种高电压和高功率应用。其N沟道结构提供了较低的导通损耗，同时具备较高的热稳定性和耐用性。该器件的高耐压能力（500V）使其非常适合用于高电压开关电路中，例如电源适配器、照明设备和工业控制系统。
此外，JX2N4260 采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高的功率环境下稳定工作。其导通电阻较低（1.5Ω），有助于降低功耗并提高系统效率。栅极驱动电压范围较宽（±30V），便于与多种驱动电路兼容，从而简化设计流程。
JX2N4260 MOSFET 主要用于需要高电压和高功率处理能力的电子电路中。其典型应用包括开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。此外，该器件也可用于音频放大器和功率放大器中，以提供更高的输出效率和稳定性。
2N6764, IRF840, BUZ90A
