时间：2025/5/23 15:26:37
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SSM3K02T是一款由ROHM公司生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适用于各种功率转换和开关应用。其封装形式为SOT-23，使其非常适合空间受限的设计环境。
SSM3K02T的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，它具备较高的栅极阈值电压，确保了在特定应用场景下的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：20V
最大漏电流：1.4A
最大功耗：260mW
导通电阻：2.9Ω
栅极阈值电压：1.8V
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保高效的功率传输和最小化能量损失。
2. 小巧的SOT-23封装适合紧凑型设计，节省PCB板空间。
3. 高开关速度支持高频操作，适用于DC-DC转换器等应用。
4. 热稳定性强，能够在极端温度条件下保持性能一致性。
5. 具备较高的栅极阈值电压，增强了抗噪能力并在特定场景下提供更稳定的运行表现。
SSM3K02T广泛应用于便携式电子设备中的电源管理电路，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或PWM控制。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各种消费类电子产品中的信号切换功能。
5. LED驱动器中的电流调节组件。
由于其小尺寸和高效能特点，SSM3K02T特别适合需要高性能与小型化兼顾的应用场合。
SSM3J337TY
2SK3546
AO3400
