时间：2025/5/27 16:28:59
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JSM80N80C是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用N沟道增强型技术。它适用于高电压和大电流的应用场景，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性等特性。这款芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的领域。
该器件使用TO-247封装形式，便于散热和集成到各种工业和消费类电子产品中。
最大漏源电压：800V
最大连续漏极电流：80A
导通电阻：0.12Ω
栅极电荷：65nC
功耗：300W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
JSM80N80C具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其快速的开关速度能够支持高频操作，适合现代电子设备的需求。此外，该芯片具备良好的雪崩能力和热稳定性，从而在异常条件下也能保持可靠的工作状态。
它的高击穿电压允许在高压环境下运行，而大电流处理能力则确保了其在重载情况下的表现。同时，该器件还采用了先进的制造工艺，以提供一致性和耐用性。
这款MOSFET主要应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电动工具、LED照明驱动器以及各类工业控制设备中。由于其卓越的性能，JSM80N80C非常适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
在汽车电子领域，它可以作为负载开关或电机控制器的一部分；在消费类电子产品中，常被用作电源适配器的核心元件。
IRFP250N, STP80N10, FDP18N80
