IXDR35N60BD1
时间:2023/3/6 15:15:55
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晶体管类型:NPT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
封装类型:ISOPLUS-247
概述
晶体管类型:NPT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功耗:125W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:38A
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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- IXDR35N60BD1
- 深圳市郓州科技有限公司
- 6500
- IXYS/艾赛斯
- 2024+/ISOPLUS247
-
IXDR35N60BD1参数
- 标准包装30
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列-
- IGBT 类型NPT
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,35A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)38A
- 功率 - 最大125W
- 输入类型标准型
- 安装类型通孔
- 封装/外壳ISOPLUS247?
- 供应商设备封装ISOPLUS247?
- 包装管件