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IXDR35N60BD1 发布时间 时间:2023/3/6 15:15:55 查看 阅读:498

    晶体管类型:NPT

    饱和电压, Vce sat 最大:2.7V

    封装类型:ISOPLUS-247

    


目录

概述

    晶体管类型:NPT

    饱和电压, Vce sat 最大:2.7V

    封装类型:ISOPLUS-247

    上升时间:70ns

    下降时间:70ns

    功耗:125W

    封装类型:ISOPLUS-247

    晶体管极性:NPN

    最大连续电流, Ic:38A

    热阻, 结至外壳 A:1°C/W

    电压, Vces:600V

    表面安装器件:通孔安装

    针脚配置:Copack (FRD)


资料

厂商
IXYS

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IXDR35N60BD1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,35A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)38A
  • 功率 - 最大125W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装ISOPLUS247?
  • 包装管件