类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.2mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　输入电容（Ciss）：约2000pF
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复
　　极性：N沟道

CRTE120N06L采用先进的沟槽式MOSFET结构，具备极低的导通电阻（Rds(on)）和高效的开关性能。其低导通电阻特性可有效降低功率损耗，提高系统效率，特别适用于高电流应用场景。该器件的栅极设计优化了输入电容，使得开关速度更快，从而减少了开关损耗。
　　此外，CRTE120N06L具有良好的热稳定性和耐高温能力，可在极端工作条件下保持稳定运行。其TO-252封装提供了良好的散热性能，有助于将热量迅速传导至PCB板上，提升器件的长期可靠性。
　　该MOSFET还具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态高电压或高能量脉冲下保持稳定工作，适用于要求高可靠性的工业和汽车电子应用。同时，其内部结构优化降低了寄生电感，有助于提高开关过程中的稳定性和减少电磁干扰（EMI）。

CRTE120N06L适用于多种功率电子系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源模块以及工业自动化控制系统等。
　　在电源管理领域，该器件可用于高效率的同步整流拓扑，以提高电源转换效率并降低损耗。在电动汽车和储能系统中，CRTE120N06L可用于电池保护电路和充放电管理模块，提供快速、可靠的开关控制。
　　此外，由于其优异的热稳定性和抗过载能力，该MOSFET也广泛应用于大电流负载控制场合，如电动工具、电焊机、工业电机驱动等。在消费类电子产品中，如高功率LED驱动、笔记本电脑电源适配器等，也能发挥出色的性能。

CSD16401Q5B、IRF1324L2PBF、SiR132DP、IPD65R1K0CFD7S、CRTE100N06L