时间：2025/7/1 3:55:30
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JSM75N75F是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该器件主要应用于高频开关、电源管理、电机驱动等领域。其设计优化了导通电阻和开关速度，适合高效率功率转换应用。JSM75N75F具有较高的雪崩击穿能力和较强的热稳定性，能够在严苛的工作条件下保持性能。
此MOSFET采用TO-247封装形式，便于散热和安装，广泛用于工业控制、通信设备及消费类电子产品中。
最大漏源电压：750V
最大连续漏极电流：75A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：320W
结温范围：-55℃至+150℃
输入电容：1600pF
开关时间：开通延迟时间：95ns，上升时间：45ns，关断延迟时间：70ns，下降时间：40ns
JSM75N75F具有低导通电阻，能够减少传导损耗，从而提高系统效率。
该器件具备快速开关能力，有助于降低开关损耗，特别适合高频工作场景。
内置的ESD保护功能增强了器件的可靠性，延长使用寿命。
其高耐压能力（750V）确保在高压环境下的稳定运行，同时具备良好的雪崩击穿能力。
JSM75N75F采用先进的制造工艺，保证了产品的一致性和高品质。
JSM75N75F适用于多种功率转换和控制场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）等。
在工业自动化领域，该器件可用于可编程逻辑控制器（PLC）和伺服驱动器中的功率级电路。
此外，它还常见于家用电器、电动工具以及LED照明系统的功率管理部分。
凭借其出色的性能表现，JSM75N75F成为许多设计工程师的理想选择。
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IXYS IXFN76N75T2
