类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：55V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.044Ω（Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：45W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装类型：TO-220、DPAK（根据具体制造商）

MTN2N55具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备高耐压能力，漏极-源极电压可达55V，适用于中等功率应用。此外，MTN2N55具有快速开关特性，使其适合用于高频开关电路，从而减小外部元件的尺寸并提高功率密度。其高栅极-源极电压耐受能力（±20V）也增强了在不同工作条件下的可靠性。MTN2N55的热性能优越，能够在较高温度下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。此外，其封装形式设计有助于有效散热，确保长时间运行的稳定性。

MTN2N55常用于多种功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池充电器等。在这些应用中，MTN2N55的低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率并减少热量产生。它也常用于汽车电子系统中的电源管理模块，如车载充电器和LED照明驱动电路。此外，MTN2N55还可用于逆变器和不间断电源（UPS）等设备，以实现高效率的能量转换。由于其良好的热稳定性和可靠的封装设计，MTN2N55也适用于需要长时间运行的工业自动化设备和电源适配器。

IRFZ44N, FDPF5N50, STP5NK50Z, FQP5N50C