时间：2025/5/10 14:17:46
阅读：2
SUP75N03-04 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频开关应用中提供优异的性能。
最大漏源电压：30V
最大漏极电流：75A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：19nC
总电容：1250pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SUP75N03-04 的主要特性包括低导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少传导损耗并提高整体效率。此外，它具备快速开关速度和较低的栅极电荷，非常适合高频开关应用。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，有助于高效散热。
该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境下工作。由于其低导通电阻和优化的寄生参数设计，能够显著降低功耗并提升系统性能。
SUP75N03-04 广泛应用于开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及电池管理等场景。其强大的电流承载能力和低导通电阻使得它特别适用于需要高效率和高功率密度的设计。此外，它也可用于工业控制、通信设备和消费类电子产品的功率管理部分。
IRFZ44N
STP75NF06
FDP178N10
SUP75N03L
