JS12U1GD50-3是一款基于硅技术制造的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压应用设计。该器件具有优异的开关性能和较低的导通电阻,能够承受较高的漏源电压,并在高频开关条件下保持高效运行。
JS12U1GD50-3适用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器以及其他需要高效率功率转换的场景。其封装形式通常采用标准TO-247或TO-220,便于散热管理和电路集成。
类型:MOSFET
极性:N-Channel
漏源电压(Vds):1200V
连续漏极电流(Id):16A
栅极电荷(Qg):95nC
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
功耗(Ptot):240W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装:TO-247
JS12U1GD50-3具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:支持高达1200V的工作电压,适合高压环境下的功率控制应用。
2. 低导通电阻:Rds(on)仅为0.18Ω,有效减少传导损耗,提高整体系统效率。
3. 快速开关性能:栅极电荷较小,仅为95nC,确保快速开关操作并降低开关损耗。
4. 热稳定性强:能够在-55℃到+175℃的宽温范围内稳定工作,适用于极端环境。
5. 封装优化:采用标准TO-247封装,具备良好的散热性能,方便安装和使用。
6. 高可靠性:经过严格测试,满足工业级应用对可靠性的要求。
JS12U1GD50-3广泛应用于以下领域:
1. 工业电源:包括开关电源、不间断电源(UPS)等,提供高效稳定的功率转换。
2. 电机驱动:用于大功率电机控制系统,实现精确的速度和扭矩调节。
3. 太阳能逆变器:将直流电高效转换为交流电,用于太阳能发电系统。
4. 电动汽车:应用于电动车的动力管理系统,提升电池利用率和续航里程。
5. 其他高压功率电子设备:如焊接机、激光设备等,满足高功率需求的应用场景。
JS12U1GD50-3P
IRFP460
FDP18N120
CSS40120P