晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　过渡频率（fT）：100 MHz

LDTA115EM3T5G 晶体管具有多种显著特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，其电流增益（hFE）范围较广，从110到800不等，具体取决于器件的分档（suffix），这使得用户可以根据具体需求选择合适的增益范围，从而优化电路性能。
　　其次，该晶体管具有较高的过渡频率（fT）为100 MHz，表明其在高频应用中具有良好的响应能力，适用于需要一定速度的开关和放大电路。此外，LDTA115EM3T5G 的最大集电极电流为100 mA，适合低至中等电流的电路设计。
　　在电压方面，该晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO）均为50 V，具备较高的电压耐受能力，能够在较宽的电压范围内稳定工作。同时，其发射极-基极电压（VEBO）为5 V，适合用于低电压控制电路。
　　该器件的功耗为300 mW，能够在不需额外散热措施的情况下工作，适用于小型化和便携式电子设备。LDTA115EM3T5G 采用 SOT-23 小型封装，便于在印刷电路板（PCB）上进行高密度布局，同时支持表面贴装技术（SMT），提高了制造效率和可靠性。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，存储温度范围为-65°C至+150°C，表现出良好的热稳定性和环境适应能力，适合在各种工业和消费电子应用中使用。

LDTA115EM3T5G 由于其优异的性能和小型封装，广泛应用于多个电子领域。在音频放大器中，该晶体管可用于前置放大器或驱动级放大器，提供高增益和低失真信号放大。在开关电路中，由于其良好的电流控制能力，LDTA115EM3T5G 常用于逻辑电平转换、继电器驱动和LED控制等场景。
　　此外，该晶体管也广泛应用于传感器接口电路中，用于信号放大和调理。由于其高频响应能力，LDTA115EM3T5G 还可用于射频（RF）前端电路中的低噪声放大器（LNA）设计。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，LDTA115EM3T5G 由于其紧凑的SOT-23封装和低功耗特性，被广泛用于电源管理、信号切换和传感器控制等模块。在工业控制系统中，该晶体管可用于继电器、小型电机和执行器的控制电路，提供可靠和稳定的开关功能。

BC547, 2N3904, MMBT3904, PN2222A