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JANTXV1N6112US 发布时间 时间:2025/8/5 1:21:37 查看 阅读:29

JANTXV1N6112US 是一种军用级别的硅基瞬态电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和其它瞬态过电压的损害。该器件采用单向击穿设计,能够在极短时间内响应瞬态高压,并将其钳位到安全电压范围内,从而有效保护后级电路。JANTXV1N6112US 符合MIL-PRF-19500标准,适用于高可靠性领域,如航空航天、国防电子、工业控制系统等。

参数

类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
  方向:单向
  击穿电压(Vbr):12.7V(测试电流为1mA)
  最大反向工作电压(Vrwm):12V
  钳位电压(Vc):20.9V(在Ipp=5.5A时)
  峰值脉冲电流(Ipp):5.5A(8/20μs波形)
  最大反向漏电流(Ir):≤10μA(在Vrwm下)
  功率耗散:400W(8/20μs瞬态)
  封装形式:DO-41
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

JANTXV1N6112US 具备出色的瞬态响应能力和高可靠性,适用于严苛环境下的电路保护。
  其核心特性之一是响应速度快,通常在皮秒级别即可响应瞬态电压事件,确保电路在受到ESD或浪涌冲击时能够迅速得到保护。
  此外,该TVS器件具有高浪涌吸收能力,额定峰值脉冲电流可达5.5A,且在8/20μs波形下可承受高达400W的瞬时功率,适用于需要频繁承受瞬态干扰的系统。
  该器件的单向结构设计使其在直流电路中应用更为广泛,尤其适合保护电源线、信号线和数据接口。
  符合MIL-PRF-19500标准意味着其制造过程和质量控制满足美军用规范,具备优异的稳定性和耐久性,适用于高可靠性应用场景如航空电子、军事通信设备等。
  JANTXV1N6112US 的封装形式为DO-41,便于安装和替换,且具有良好的热稳定性和机械强度。

应用

JANTXV1N6112US 被广泛应用于需要高可靠性和高瞬态电压保护能力的电子系统中。
  其主要应用领域包括航空航天电子设备、军工通信系统、工业自动化控制模块、电源管理系统、数据通信接口以及汽车电子控制单元(ECU)。
  在航空航天中,该器件常用于雷达系统、导航设备和卫星通信模块的电源输入和信号传输路径,以防止静电放电和电磁脉冲(EMP)造成的损害。
  在军工通信设备中,它可用于保护高频信号线和数据总线免受雷击浪涌和操作瞬变的影响。
  此外,JANTXV1N6112US 也适用于工业现场的PLC控制板、变频器和传感器模块,防止因电源波动或电机启停引起的瞬态过电压对敏感IC造成损坏。
  在汽车电子方面,它可用于保护车载网络(如CAN总线)、电池管理系统(BMS)和车载充电器等关键电路。

替代型号

JANTX1N6112-1, JANS1N6112A, 1.5KE12A

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JANTXV1N6112US参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格100 : ¥163.96670散装
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/516
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道-
  • 双向通道1
  • 电压 - 反向断态(典型值)13.7V
  • 电压 - 击穿(最小值)16.25V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)26.36V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)18.91A
  • 功率 - 峰值脉冲500W
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SQ-MELF,B
  • 供应商器件封装B,SQ-MELF