晶体管类型：NPN/PNP组合阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：14引脚SOIC或DIP
　　电流增益（hFE）：100-800（取决于具体晶体管）
　　过渡频率（fT）：100MHz

D2817R的一个显著特点是其内部集成多个匹配良好的晶体管对，这使得它在构建差分放大器和电流镜等电路时具有优异的性能。这些晶体管在制造过程中被精确匹配，确保了在温度变化和工作条件下的一致性，从而提高了电路的稳定性和精度。
　　此外，D2817R具有较低的噪声系数，适用于高灵敏度信号处理电路，如前置放大器和传感器接口电路。其高频响应特性也使其适用于中频放大器和射频电路中的低噪声增益模块。
　　该器件采用先进的半导体制造工艺，具有良好的热稳定性和长期工作的可靠性，能够在较为恶劣的工业环境和高温条件下稳定运行。其封装形式多样，包括表面贴装（SOIC）和双列直插式（DIP），便于在不同类型的电路板上安装和使用。
　　由于其内部晶体管的对称性和匹配性，D2817R非常适合用于构建精密运算放大器的输入级和中间增益级，有助于提高整体电路的线性度和动态范围。

D2817R广泛应用于需要高性能模拟信号处理的电子系统中。例如，在工业自动化控制系统中，它可以用于构建高精度的传感器信号调理电路，提高测量精度和稳定性。在通信设备中，D2817R可用于构建低噪声放大器（LNA）或中频放大器，以增强微弱信号并减少噪声干扰。
　　此外，该器件还可用于电源管理电路，如构建恒流源、电压调节器或开关稳压器的控制电路。在音频放大器设计中，D2817R可作为前级放大器使用，提供高增益和低失真的信号放大效果。
　　由于其良好的匹配性能，D2817R也常用于精密模拟集成电路的设计，如构建运算放大器、比较器和模拟乘法器等关键模块。

LM394, MAT02, CA3086